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Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
比较
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB vs Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
总分
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
总分
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
18
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,034.7
12.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
48
左右 -118% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
22
读取速度,GB/s
4,295.1
18.0
写入速度,GB/s
2,034.7
12.8
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
650
3110
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
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