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Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
比较
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB vs Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
总分
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
总分
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
14.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,549.9
11.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
53
左右 -104% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
53
26
读取速度,GB/s
5,481.3
14.4
写入速度,GB/s
2,549.9
11.0
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1026
3078
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
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