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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
比较
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
总分
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
总分
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
13.6
13.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
46
左右 -53% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.4
14.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
23400
21300
左右 1.1 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
30
读取速度,GB/s
14.2
16.4
写入速度,GB/s
13.6
13.1
内存带宽,mbps
21300
23400
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
排名PassMark (越多越好)
2717
3310
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
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