RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Compara
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Puntuación global
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Puntuación global
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.6
13.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
46
En -53% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.4
14.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
23400
21300
En 1.1 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
30
Velocidad de lectura, GB/s
14.2
16.4
Velocidad de escritura, GB/s
13.6
13.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
21300
23400
Other
Descripción
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2717
3310
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link