Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB

Corsair CM2X2048-6400C5 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB

总分
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Corsair CM2X2048-6400C5 2GB

Corsair CM2X2048-6400C5 2GB

总分
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB

差异

  • 更快的读取速度,GB/s
    5 left arrow 16.2
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度,GB/s
    2,549.9 left arrow 12.6
    测试中的平均数值
  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    26 left arrow 53
    左右 -104% 更低的延时
  • 更高的内存带宽,mbps
    21300 left arrow 6400
    左右 3.33 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时,ns
    53 left arrow 26
  • 读取速度,GB/s
    5,481.3 left arrow 16.2
  • 写入速度,GB/s
    2,549.9 left arrow 12.6
  • 内存带宽,mbps
    6400 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1026 left arrow 2955
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较