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Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Corsair CMD128GX4M8A2666C15 16GB
比较
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB vs Corsair CMD128GX4M8A2666C15 16GB
总分
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
总分
Corsair CMD128GX4M8A2666C15 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
37
左右 38% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.2
13.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMD128GX4M8A2666C15 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
13.6
9.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Corsair CMD128GX4M8A2666C15 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
37
读取速度,GB/s
15.2
13.6
写入速度,GB/s
9.8
13.6
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2454
3215
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
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Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
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