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Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
比较
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB vs G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
总分
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
总分
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
25
左右 8% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
19.4
15.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.6
9.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
25
读取速度,GB/s
15.2
19.4
写入速度,GB/s
9.8
13.6
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2454
3519
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905701-098.A00G 16GB
Micron Technology 16HTF25664AY-800E1 2GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
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V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
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