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Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
比较
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB vs Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
总分
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
总分
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
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需要考虑的原因
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
21
23
左右 -10% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.1
15.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.8
9.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
21
读取速度,GB/s
15.2
18.1
写入速度,GB/s
9.8
14.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2454
3087
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
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