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Corsair CM3B8G2A1333L9 8GB
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
比较
Corsair CM3B8G2A1333L9 8GB vs Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
总分
Corsair CM3B8G2A1333L9 8GB
总分
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CM3B8G2A1333L9 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
25
左右 4% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16
15.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.3
8.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CM3B8G2A1333L9 8GB
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
24
25
读取速度,GB/s
15.4
16.0
写入速度,GB/s
8.7
12.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2566
3058
Corsair CM3B8G2A1333L9 8GB RAM的比较
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Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Corsair CM3B8G2A1333L9 8GB
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
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