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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
11.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
87
左右 -222% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
27
读取速度,GB/s
3,155.6
15.0
写入速度,GB/s
870.4
11.6
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
2809
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB RAM的比较
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
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Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
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Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
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Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
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