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Corsair CM3X2G1600C9 2GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
比较
Corsair CM3X2G1600C9 2GB vs Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
总分
Corsair CM3X2G1600C9 2GB
总分
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CM3X2G1600C9 2GB
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需要考虑的原因
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
17
38
左右 -124% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
21.4
11.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
19.6
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CM3X2G1600C9 2GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
17
读取速度,GB/s
11.9
21.4
写入速度,GB/s
7.8
19.6
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1889
3775
Corsair CM3X2G1600C9 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Inmos + 256MB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
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