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Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
比较
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB vs Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
总分
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
总分
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
31
左右 35% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
22.4
19.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.8
13.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
20
31
读取速度,GB/s
19.1
22.4
写入速度,GB/s
13.1
16.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3252
4012
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
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