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Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
比较
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
总分
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
总分
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
28
左右 29% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.1
18.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
15.1
13.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
20
28
读取速度,GB/s
19.1
18.2
写入速度,GB/s
13.1
15.1
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
3252
3666
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
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Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
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G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
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