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Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
比较
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
总分
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
32
左右 38% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.1
13
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.1
8.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
20
32
读取速度,GB/s
19.1
13.0
写入速度,GB/s
13.1
8.6
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3252
2243
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/16G 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
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