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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.6
14.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
10.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
19200
左右 1.33% 更高的带宽
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
33
左右 -3% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
32
读取速度,GB/s
17.6
14.6
写入速度,GB/s
12.0
10.6
内存带宽,mbps
25600
19200
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2910
2457
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9965640-001.C00G 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Inmos + 256MB
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