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Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
比较
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
总分
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
29
左右 31% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.1
16.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.1
12.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
20
29
读取速度,GB/s
19.1
16.8
写入速度,GB/s
13.1
12.6
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3252
3246
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB RAM的比较
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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
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