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Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
比较
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB vs Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
总分
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
总分
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
26
左右 23% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.1
15.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.1
11.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
20
26
读取速度,GB/s
19.1
15.1
写入速度,GB/s
13.1
11.6
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3252
2579
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
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