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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
比较
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
总分
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
总分
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
63
左右 -142% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.6
1,447.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
26
读取速度,GB/s
3,231.0
15.1
写入速度,GB/s
1,447.3
11.6
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
478
2579
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
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G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
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