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Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
比较
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
总分
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
32
左右 38% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.1
16.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.1
13.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
20
32
读取速度,GB/s
19.1
16.4
写入速度,GB/s
13.1
13.0
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
3252
3278
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
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