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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
比较
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
总分
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
总分
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
45
左右 -41% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.6
12
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.0
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
32
读取速度,GB/s
12.0
20.6
写入速度,GB/s
7.8
15.0
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1939
3593
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
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