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Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
比较
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
总分
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
总分
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
27
左右 26% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.1
17.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
13.2
13.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
20
27
读取速度,GB/s
19.1
17.8
写入速度,GB/s
13.1
13.2
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 14 15
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3252
3337
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB RAM的比较
Avexir Technologies Corporation DDR3-2800 CL12 8GB 8GB
Corsair CMY8GX3M2B2133C9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Kingston 9905403-003.B00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
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