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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
比较
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs NSITEXE Inc Visenta 16GB
总分
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
总分
NSITEXE Inc Visenta 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
47
58
左右 19% 更低的延时
需要考虑的原因
NSITEXE Inc Visenta 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.2
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
58
读取速度,GB/s
10.4
18.0
写入速度,GB/s
7.8
8.2
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2169
2025
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM的比较
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Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
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