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Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
比较
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
总分
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
总分
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
30
左右 33% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.1
17.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.1
12.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
20
30
读取速度,GB/s
19.1
17.5
写入速度,GB/s
13.1
12.9
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3252
3283
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB RAM的比较
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G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB RAM的比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
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