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Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
比较
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB vs Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
总分
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
总分
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
39
左右 49% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.1
17.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.1
10.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
20
39
读取速度,GB/s
19.1
17.5
写入速度,GB/s
13.1
10.6
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3252
2600
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
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G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
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G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
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