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Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB

Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB

总分
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Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB

总分
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Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB 需要考虑的原因
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
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Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB 需要考虑的原因
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    22 left arrow 46
    左右 -109% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    17.4 left arrow 12.2
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    13.0 left arrow 7.9
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 12800
    左右 1.33 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    46 left arrow 22
  • 读取速度，GB/s
    12.2 left arrow 17.4
  • 写入速度，GB/s
    7.9 left arrow 13.0
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2072 left arrow 3162

Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB RAM的比较

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