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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
比较
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
总分
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
19.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,107.0
13.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
58
左右 -76% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
33
读取速度,GB/s
4,025.3
19.8
写入速度,GB/s
2,107.0
13.6
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
670
3364
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905663-012.A00G 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
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