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Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
比较
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB vs Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
总分
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
总分
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
49
左右 59% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.1
17.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.1
10.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
20
49
读取速度,GB/s
19.1
17.1
写入速度,GB/s
13.1
10.7
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
3252
2668
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
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G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
INTENSO 5641152 4GB
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