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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
比较
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
总分
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
总分
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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需要考虑的原因
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
40
左右 -38% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.3
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.8
8.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
29
读取速度,GB/s
12.3
17.3
写入速度,GB/s
8.9
10.8
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1789
2968
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
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Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
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