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Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
比较
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB vs Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
总分
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
总分
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
29
左右 31% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.1
15.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.1
10.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
20
29
读取速度,GB/s
19.1
15.8
写入速度,GB/s
13.1
10.2
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
3252
2708
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C9 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
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