Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB

Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB vs Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB

总分
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Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB

Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB

总分
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Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB

Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB

差异

  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    20 left arrow 32
    左右 38% 更低的延时
  • 更快的读取速度,GB/s
    20.6 left arrow 19.1
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度,GB/s
    14.7 left arrow 13.1
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽,mbps
    25600 left arrow 10600
    左右 2.42 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时,ns
    20 left arrow 32
  • 读取速度,GB/s
    19.1 left arrow 20.6
  • 写入速度,GB/s
    13.1 left arrow 14.7
  • 内存带宽,mbps
    10600 left arrow 25600
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    3252 left arrow 3393
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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