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Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
比较
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB vs Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
总分
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
总分
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
49
左右 59% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.1
10.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.1
8.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
20
49
读取速度,GB/s
19.1
10.7
写入速度,GB/s
13.1
8.6
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
3252
2504
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
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