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Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
比较
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB vs Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
总分
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
总分
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
28
左右 29% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.1
14.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.1
6.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
20
28
读取速度,GB/s
19.1
14.8
写入速度,GB/s
13.1
6.8
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3252
2014
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
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Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
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