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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
比较
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
总分
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
总分
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
36
左右 -16% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.9
14.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.2
9.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
31
读取速度,GB/s
14.9
17.9
写入速度,GB/s
9.5
14.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2292
3538
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB RAM的比较
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Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
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