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Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
比较
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB vs SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
总分
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
总分
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
37
左右 46% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.1
15.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.1
12.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
20
37
读取速度,GB/s
19.1
15.6
写入速度,GB/s
13.1
12.0
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3252
2314
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
INTENSO M418039 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
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