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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
INTENSO M418039 8GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs INTENSO M418039 8GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
总分
INTENSO M418039 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
7.8
7.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
INTENSO M418039 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
49
左右 -145% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
INTENSO M418039 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
20
读取速度,GB/s
10.1
16.0
写入速度,GB/s
7.8
7.4
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2070
2414
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
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Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
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A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
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