Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
INTENSO M418039 8GB

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs INTENSO M418039 8GB

Puntuación global
star star star star star
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Puntuación global
star star star star star
INTENSO M418039 8GB

INTENSO M418039 8GB

Diferencias

  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    7.8 left arrow 7.4
    Valor medio en las pruebas
  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    20 left arrow 49
    En -145% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    16 left arrow 10.1
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    17000 left arrow 10600
    En 1.6 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
INTENSO M418039 8GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    49 left arrow 20
  • Velocidad de lectura, GB/s
    10.1 left arrow 16.0
  • Velocidad de escritura, GB/s
    7.8 left arrow 7.4
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • Descripción
    PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2070 left arrow 2414
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Últimas comparaciones