Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB

Puntuación global
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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Puntuación global
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Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB

Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB

Diferencias

  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    4 left arrow 16.6
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    2,168.2 left arrow 12.9
    Valor medio en las pruebas
  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    23 left arrow 60
    En -161% menor latencia
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    19200 left arrow 5300
    En 3.62 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    60 left arrow 23
  • Velocidad de lectura, GB/s
    4,595.2 left arrow 16.6
  • Velocidad de escritura, GB/s
    2,168.2 left arrow 12.9
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    5300 left arrow 19200
Other
  • Descripción
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    941 left arrow 2825
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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