Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Wynik ogólny
star star star star star
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB

Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB

Różnice

  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    4 left arrow 16.6
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    2,168.2 left arrow 12.9
    Średnia wartość w badaniach
  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    23 left arrow 60
    Wokół strony -161% niższe opóźnienia
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    19200 left arrow 5300
    Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR2 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    60 left arrow 23
  • Prędkość odczytu, GB/s
    4,595.2 left arrow 16.6
  • Prędkość zapisu, GB/s
    2,168.2 left arrow 12.9
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    5300 left arrow 19200
Other
  • Opis
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Taktowanie / szybkość zegara
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    941 left arrow 2825
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania