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Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
比较
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB vs Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
总分
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
总分
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
30
左右 33% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.1
14
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.1
8.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
20
30
读取速度,GB/s
19.1
14.0
写入速度,GB/s
13.1
8.9
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3252
2716
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
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