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Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
比较
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB vs Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
总分
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
总分
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
33
左右 6% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.1
14.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.9
11.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
17000
左右 1.25 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
33
读取速度,GB/s
14.8
15.1
写入速度,GB/s
11.4
11.9
内存带宽,mbps
17000
21300
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
3122
3224
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
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Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905663-030.A00G 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB
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