RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Porównaj
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB vs Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Wynik ogólny
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
33
Wokół strony 6% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.1
14.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
11.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
31
33
Prędkość odczytu, GB/s
14.8
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
11.4
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
21300
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3122
3224
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link