RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
12.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
77
Wokół strony -97% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
39
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2760
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMK64GX4M2Z4000C18 32GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston HX316C10F/4 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link