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Corsair CMD16GX3M2A1600C7 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
比较
Corsair CMD16GX3M2A1600C7 8GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
总分
Corsair CMD16GX3M2A1600C7 8GB
总分
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMD16GX3M2A1600C7 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
44
左右 20% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.1
10.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.1
8.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMD16GX3M2A1600C7 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
44
读取速度,GB/s
14.1
10.6
写入速度,GB/s
9.1
8.8
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2471
2374
Corsair CMD16GX3M2A1600C7 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
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Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
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