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Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
比较
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB vs Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
总分
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
总分
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16
15.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
34
左右 -36% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.4
10.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
34
25
读取速度,GB/s
16.0
15.4
写入速度,GB/s
10.3
13.4
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2782
2786
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB RAM的比较
Corsair CMD16GX3M2A1600C9 8GB
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Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
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Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
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