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Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
比较
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB vs Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
总分
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
总分
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
差异
规格
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差异
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Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
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Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
34
左右 -13% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.3
16
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.6
10.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
34
30
读取速度,GB/s
16.0
17.3
写入速度,GB/s
10.3
15.6
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2782
3637
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
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