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Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
比较
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB vs Kingston 9905700-017.A00G 8GB
总分
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
总分
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
35
左右 -25% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.3
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.9
7.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
28
读取速度,GB/s
12.8
16.3
写入速度,GB/s
7.1
12.9
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1937
2790
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Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
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