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Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB

Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB

总分
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Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB

Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB

差异 规格 评论

差异

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Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    23 left arrow 38
    左右 -65% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    18.2 left arrow 14.1
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    15.1 left arrow 8.7
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 10600
    左右 2.01 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    38 left arrow 23
  • 读取速度，GB/s
    14.1 left arrow 18.2
  • 写入速度，GB/s
    8.7 left arrow 15.1
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2228 left arrow 3498

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