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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
比较
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
总分
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
总分
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
43
左右 -39% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.9
14.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.4
9.6
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
31
读取速度,GB/s
14.9
16.9
写入速度,GB/s
9.6
12.4
内存带宽,mbps
12800
no data
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
, 1.20000005, CAS Supported:
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
no data
排名PassMark (越多越好)
2506
3043
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB RAM的比较
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB RAM的比较
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
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