RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Compara
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Puntuación global
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
43
En -39% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.9
14.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.4
9.6
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
31
Velocidad de lectura, GB/s
14.9
16.9
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
12.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
no data
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
, 1.20000005, CAS Supported:
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
no data
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2506
3043
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link