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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Vergleichen Sie
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Gesamtnote
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
43
Rund um -39% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.9
14.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.4
9.6
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
16.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
12.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
no data
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
, 1.20000005, CAS Supported:
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
no data
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2506
3043
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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